隨著2024年下半年港股市場的逐步回暖，IPO市場再次活躍起來，投資者信心回升，尤其是內(nèi)地企業(yè)加速赴港上市步伐。到12月30日，港股已迎來了70家新股，其中88%來自內(nèi)地企業(yè)，進(jìn)一步凸顯了內(nèi)地資本對香港市場的信任。而今天，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的明星企業(yè)——英諾賽科（2577.HK）成功登陸港交所主板，為港股市場注入了新的活力。

英諾賽科是全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓的企業(yè)，也是唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。此次IPO，英諾賽科成功籌集了13.02億港元的凈資金，充分顯示出資本市場對其未來前景的高度認(rèn)可。

管理團(tuán)隊的實力保障

英諾賽科成立于2017年，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延與器件研發(fā)與制造。公司采用IDM（集成設(shè)備制造商）模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸GaN-on-Si晶圓量產(chǎn)線。根據(jù)弗若斯特沙利文的報告，英諾賽科在2023年以收入計成為全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司的領(lǐng)先者。

公司的管理團(tuán)隊由創(chuàng)始人兼董事長Weiwei Luo博士與首席執(zhí)行官吳金剛博士領(lǐng)導(dǎo)，二人在先進(jìn)材料和半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域擁有豐富的經(jīng)驗。團(tuán)隊的創(chuàng)新推動了氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的突破，并在產(chǎn)業(yè)化過程中取得了顯著成績。目前，英諾賽科已擁有406項專利和387項專利申請，涵蓋芯片設(shè)計、器件結(jié)構(gòu)、晶圓制造、封裝等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域。

強(qiáng)大的融資背景

英諾賽科的融資歷程也為其快速發(fā)展提供了有力支持。從2018年到2024年，公司成功完成五輪融資，累計融資總額達(dá)到人民幣62.34億元。值得一提的是，在本次IPO之前，英諾賽科就已經(jīng)吸引了如招銀成長、SK China等多家知名機(jī)構(gòu)投資者的支持，為公司提供了充足的資金保障。

此外，本次IPO還引入了多個基石投資者，包括STHK、江蘇國企混改基金、蘇州高端裝備等，顯示出半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)外資本的高度關(guān)注和信任。

規(guī)模經(jīng)濟(jì)帶來高速成長

自公司于2022年開始量產(chǎn)以來，英諾賽科的收入持續(xù)增長。2021年到2023年，英諾賽科的收入分別為6,821萬元、1.36億元及5.93億元，年復(fù)合增長率達(dá)到194.8%。2024年上半年，公司收入同比增長25.2%，繼續(xù)保持強(qiáng)勁的增長勢頭。

盡管英諾賽科在擴(kuò)張過程中經(jīng)歷了高額的資本支出和研發(fā)開支，造成了一定的暫時虧損，但隨著產(chǎn)能的擴(kuò)大和經(jīng)營效率的提升，公司在不久的將來有望實現(xiàn)盈利，進(jìn)一步鞏固其市場地位。

GaN芯片市場前景廣闊

氮化鎵（GaN）作為一種高效能的第三代半導(dǎo)體材料，已在5G、汽車電子、消費(fèi)電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。隨著技術(shù)的不斷成熟，GaN芯片的市場需求正在快速增長，預(yù)計將成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的新興亮點。

英諾賽科憑借其在硅基氮化鎵領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)和生產(chǎn)能力，將有望在這個高速增長的市場中占據(jù)一席之地，進(jìn)一步提升其市值。

總的來說，英諾賽科的成功上市標(biāo)志著港股市場對創(chuàng)新型科技企業(yè)的重視，并為投資者提供了一個獨(dú)具潛力的投資機(jī)會。隨著公司在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的持續(xù)突破，其未來的發(fā)展值得期待。

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