在2015年發(fā)布的“中國(guó)制造2025”計(jì)劃中，中國(guó)政府設(shè)定了到2025年半導(dǎo)體自給率達(dá)到70%的宏大目標(biāo)。然而，經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展與努力，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自給率依舊處于較低水平。根據(jù)最新數(shù)據(jù)，2023年中國(guó)半導(dǎo)體自給率僅為23%，雖然相比過(guò)去有所增加，但距離預(yù)定目標(biāo)仍有較大差距。值得注意的是，中國(guó)半導(dǎo)體自給率的增幅主要集中在成熟制程芯片領(lǐng)域，而非更具競(jìng)爭(zhēng)力的先進(jìn)制程技術(shù)。

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自給率在過(guò)去十年間逐步上升。從2009年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)需求為410億美元，而國(guó)內(nèi)生產(chǎn)僅為42億美元的10.2%自給率起步，到2014年自給率上升至15.2%。這一增長(zhǎng)得益于國(guó)家政策支持，特別是中國(guó)制造2025計(jì)劃的實(shí)施。該計(jì)劃提出，2020年半導(dǎo)體自給率目標(biāo)為40%，2025年目標(biāo)為70%，而2030年目標(biāo)更高，預(yù)計(jì)達(dá)到80%。

為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，中國(guó)政府積極推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資與技術(shù)自主化。2014年，中國(guó)設(shè)立了國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金），以推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈本地化。第一期大基金投資190億美元，第二期投入270億美元，而最新的第三期大基金則計(jì)劃投資475億美元，著重在先進(jìn)晶片、設(shè)備及材料上。盡管如此，面對(duì)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)與技術(shù)限制，中國(guó)的半導(dǎo)體自給率增長(zhǎng)并不如預(yù)期。

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查公司IC Insights的數(shù)據(jù)，盡管中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)大幅增加，從2014年的117億美元增至2021年的312億美元，但隨著市場(chǎng)需求的激增，中國(guó)自給率的增幅相對(duì)較小。2021年，中國(guó)半導(dǎo)體自給率僅為16.7%，與2014年相比，增長(zhǎng)幅度不到2%。更為嚴(yán)峻的是，外資公司在中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)中的貢獻(xiàn)逐年上升，外商對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)的貢獻(xiàn)超過(guò)50%。例如，在2020年，中國(guó)半導(dǎo)體自給率為15.8%，但以中國(guó)為總部的公司生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)值僅為76億美元，反映出本土半導(dǎo)體公司在產(chǎn)業(yè)中的相對(duì)薄弱地位。

2023年，中國(guó)半導(dǎo)體自給率雖有一定提升，增至23.3%，但是這些新增產(chǎn)能大部分集中在成熟制程芯片，尤其是14納米及以上制程的產(chǎn)品，而不是市場(chǎng)需求量大的7納米以下的先進(jìn)制程芯片。根據(jù)市場(chǎng)研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)三大主要晶圓代工廠——中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)和晶合集成——的全球營(yíng)收市場(chǎng)占有率從2022年的9.6%下降至2023年的9.0%，并且預(yù)計(jì)2024年將進(jìn)一步下降至8.9%。這一趨勢(shì)表明，雖然中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)張，但在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力仍然受到制約。

整體來(lái)看，雖然中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在自給率方面有所增長(zhǎng)，但仍面臨著技術(shù)壁壘與國(guó)際政治經(jīng)濟(jì)環(huán)境的挑戰(zhàn)。未來(lái)，如何突破先進(jìn)制程芯片的技術(shù)瓶頸，提升本土企業(yè)在全球市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)力，將是中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)亟待解決的重要課題。

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